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两条声子传输的模拟证实了平面空位在散射中频声子中的重要作用。最终,特高投入实现了2.2的峰值zT,这促使GeTe成为一个尖端热电材料的梯队。
压同(d)放大的HAADFSTEM图像。在该项成果发表之前,时使用课题组先研究了GeTe相变对热电性能的影响。曾获得昆士兰大学卓越研究奖(ResearchExcellenceAward),川完成首澳大利亚研究理事会澳大利亚博士后研究员奖(ARCAustralianPostdoctoralResearchFellowship),川完成首昆士兰州政府卓越研究奖(QueenslandSmartFutureFellowship)和国际研究奖(QueenslandInternationalFellowship),澳大利亚科学院国际研究奖(AustralianAcademyofScienceInternationalFellowship,以及孔子学院研究奖。
此外,线预Bi掺杂优化了载流子浓度,从而增大了Ge1-x-yCdxBiyTe的功率因子。邹进教授目前的研究方向包括:电网段放半导体纳米结构(量子点,纳米线,纳米带,超簿纳米片)的形成机理及其物理性能的研究。
图3.(a)模拟分析计算的塞贝克系数关于载流子浓度的变化情况,两条(b)模拟分析载流子迁移率关于载流子浓度的变化情况,两条(c)估算的不同材料成分中的DOS有效质量,(d)随温度变化的功率因子。
特高投入材料人编辑部Alisa编辑整理。据介绍,压同三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm,仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%。
经查询发现,时使用MicroLED相比于LCD可以实现更高的亮度、色彩饱和度、色彩还原力、响应速度等,而且是自发光,因此更省电。此外,川完成首他们还在考虑将MicroLED的应用扩展到小型显示屏,如广告标牌和智能手表等。
MicroLED是一种自发光显示技术,线预采用微米(μm)级、比头发还细的超小型LED元器件,无需背光或滤色片即可实现发光以及着色。10月17日消息,电网段放三星电子发布了一段视频,介绍了他们对于MicroLED的规划,并向用户展示了MicroLED的开发过程及其背后的工艺。
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